Η Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) και η Intel Corporation αποκάλυψαν τη διαθεσιμότητα της τεχνολογίας τους 3D NAND, τη μνήμη flash με την υψηλότερη πυκνότητα στον κόσμο. Η τεχνολογία flash είναι η τεχνολογία αποθήκευσης που χρησιμοποιούν οι πιο ελαφρείς φορητοί υπολογιστές, τα ταχύτερα data centers και σχεδόν κάθε κινητό τηλέφωνο, tablet και φορητή συσκευή.
Η νέα 3D NAND τεχνολογία, που αναπτύχθηκε με την αμοιβαία συνεργασία των Intel και Micron, χρησιμοποιεί επάλληλα στρώματα από κύτταρα αποθήκευσης δεδομένων κατακόρυφα με εντυπωσιακή ακρίβεια για τη δημιουργία συσκευών αποθήκευσης με χωρητικότητα 3 φορές μεγαλύτερη από ανταγωνιστικές τεχνολογίες NAND. Αυτό επιτρέπει μεγαλύτερη χωρητικότητα σε μικρότερο χώρο, προσφέροντας σημαντική εξοικονόμηση, χαμηλή κατανάλωση και υψηλές επιδόσεις σε μια σειρά καταναλωτικών συσκευών καθώς και στις πλέον απαιτητικές επιχειρηματικές εφαρμογές.
Η επίπεδη διαδικασία κατασκευής της μνήμης NAND flash πρακτικά πλησιάζει τα όρια της κλιμάκωσής της, θέτοντας σημαντικούς περιορισμούς στους κατασκευαστές μνήμης. Η τεχνολογία 3D NAND στοχεύει στη δημιουργία ενός σημαντικού αντίκτυπου, διατηρώντας τις λύσεις τεχνολογίας αποθήκευσης flash, συνεπείς με το νόμο του Moore, στην πορεία για συνεχή άνοδο επιδόσεων και εξοικονόμησης κόστους, οδηγώντας σε μια ευρεία χρήση της τεχνολογίας flash.
«Η συνεργασία των Micron και Intel έχει δημιουργήσει μια ηγετική τεχνολογία αποθήκευσης στερεάς κατάστασης που προσφέρει υψηκή πυκνότητα, επιδόσεις και αποδοτικότητα που είναι αξεπέραστη από οποιοαδήποτε άλλη τεχνολογία flash σήμερα» ανέφερε ο Brian Shirley, αντιπρόεδρος του τμήματος Memory technology and Solutions στην Micron Technology. «Η συγκεκριμένη τεχνολογία 3D NAND έχει την προοπτική να δημιουργήσει θεμελιώδεις αλλαγές στην αγορά. Ο βαθμός της σπουδαιότητας της μνήμης flash μέχρι σήμερα – από τα smartphones έως τους βελτιστοπoιημένους με τεχνολογία flash υπερυπολογιστές- είναι πράγματι αυτό που φαίνεται μόνο στην επιφάνεια σε σχέση με ό,τι είναι δυνατό.»
«Οι προσπάθεις της Intel για την ανάπτυξη της τεχνολογίας με τη Micron, αντανακλούν τη συνεχή μας δέσμευση για να προσφέρουμε κορυφαίες και καινοτόμες τεχνολογίες μη πτητικών μνημών στην αγορά» ανέφερε ο Bob Crooke, senior vice president και general manager, στο Non-Volatile Memory Solutions Group της Intel. «Οι σημαντικές βελτιώσεις στην πυκνότητα και το κόστος που επιτυγχάνονται από τις καινοτομίες μας στη νέα τεχνολογία 3D NAND, θα επιταχύνουν την αποθήκευση στερεάς κατάστασης (solid state) σε διάφορες πλατφόρμες.»
Καινοτόμος διαδικασία κατασκευής
Μια από τις σημαντικότερες πτυχές της τεχνολογίας είναι η διαδικασία δημιουργίας των κελιών μνήμης. Η Intel και η Micron επέλεξαν τη χρήση τεχνολογίας κελιού επιπλέουσας πύλης, μια τυπική σχεδίαση που έχει εξελιχθεί από την πολυετή παραγωγή flash με επίπεδη διαδικασία σε μεγάλους όγκους παραγωγής. Αυτή είναι η πρώτη χρήση τεχνολογίας κελιού επιπλέουσας πύλης σε 3D NAND, και αποτελεί μια θεμελιώδη επιλογή σχεδίασης που επιτρέπει ανώτερες επειδόσεις και αυξημένη ποιότητα και αξιοπιστία.
Η νέα τεχνολογία 3D NAND τοποθετεί τα κελιά κάθετα σε 32 επίπεδα για να επιτύχει 256Gb multilevel cell (MLC) και 384 Gb triple-level cell (TLC) που μπορεί να τοποθετηθούν σε μια τυποποιημένη συσκευασία. Αυτές οι χωρητικότητες επιτρέπουν διατάξεις SSDs σε μέγεθος τσίχλας με περισσότερα από 3.5TB χωρητικότητας και τυπικής μορφής SSD δίσκους μεγαλύτερους των 10TB. Καθώς η χωρητικότητα επιτυγχάνεται με την τοποθέτηση κελιών μνήμης κατακόρυφα, οι διαστάσεις κάθε κελιού μπορεί να είναι σημαντικά μεγαλύτερες. Αυτό αναμένεται να αυξήσει τις επιδόσεις και την αντοχή και να καταστήσει ακόμα και τις TLC σχεδιάσεις κατάλληλες για τεχνολογία αποθήκευσης στο data center.
Τα θεμελιώδη προϊοντικά χαρακτηριστικά της νέας σχεδίασης 3D NAND περιλαμβάνουν:
• Μεγάλη Χωρητικότητα – Τρεις φορές την χωρητικότητα υφιστάμενης τεχνολογίας 3D, έως και 48GB NAND ανά die – που επιτρέπει ¾ ενός terabyte να περιλαμβάνονται σε μια συσκευασία σε μέγεθος δακτυλικού αποτυπώματος.
• Μειωμένο κόστος ανά GB – H πρώτη γενιά 3D NAND έχει σχεδιαστεί για να επιτύχει καλύτερη αποδοτικότητα κόστους από ό,τι η επίπεδη NAND.
• Ταχύτητα – Μεγάλο εύρος ζώνης σε ανάγνωση/εγγραφή, ταχύτητα I/O και σε τυχαία ανάγνωση.
• Οικολογική λειτουργία – Νέες καταστάσεις sleep επιτρέπουν τη χαμηλή κατανάλωση ενέργειας διακόπτοντας την ισχύ σε μη ενεργές περιοχές του NAND die (ακόμα και όταν άλλο die στην ίδια συσκευασία είναι ενεργό), περιορίζοντας σημαντικά την κατανάλωση ισχύος σε κατάσταση αναμονής λειτουργίας.
• Ευφυΐα – Καινοτόμα νέα χαρακτηριστικά βελτιώνουν το χρόνο καθυστέρησης (latency) και αυξάνουν την ανθεκτικότητα σε σχέση με παλαιότερες γενιές, ενώ καθιστούν πιο εύκολη την ενσωμάτωσή τους σε συστήματα.
• Δείγματα της έκδοδης MLC 356Gb της 3D NAND διατίθενται ήδη σε επιλεγμένους συνεργάτες, ενώ τα δείγματα της έκδοσης 384Gb TLC θα διατεθούν αργότερα εντός της άνοιξης. Η εργοσταστιακή παραγωγή έχει ήδη ξεκινήσει δοκιμές ενώ και οι δύο εκδόσεις θα βρίσκονται σε πλήρη παραγωγή έως το τέταρτο τρίμηνο του έτους. Οι δύο εταιρείες αναπτύσσουν επίσης ανεξάρτητες γραμμές για λύσεις SSD βασισμένες στην τεχνολογία 3D NAND ενώ τα σχετικά προϊόντα αναμένεται να διατεθούν εντός του επόμενου έτους.
Η νέα τεχνολογία επιτρέπει SSDs μεγέθους τσίχλας με χωρητικότητα μεγαλύτερη από 3,5 TB
Περισσότερες πληροφορίες:
Micron
Συνομιλίες της Micron στα μέσα κοινωνικής δικτύωσης σχετικά με τις τεχνολογίες αποθήκευσης και τις μνήμες:
• Innovations Blog: www.micronblogs.com
• Twitter*: www.twitter.com/micronstorage
• YouTube*: www.youtube.com/microntechnology
• Media Kit: Micron
Intel
Συνομιλίες της Intel για SSDs στα μέσα κοινωνικής δικτύωσης:
• IT Peer Network Blogs: communities.intel.com/community/itpeernetwork/blog
• Facebook*: www.facebook.com/Intel
• Twitter*: www.twitter.com/IntelSSD
• YouTube*: www.youtube.com/user/channelintel
Σχετικά με την Micron Technology Inc
Η Micron Technology Inc, είναι παγκόσμια ηγέτιδα σε προηγμένα συστήματα ημιαγωγών. Το ευρύ χαρτοφυλάκιο λύσεων για μνήμες υψηλών επιδόσεων της Micron – στο οποίο περιλαμβάνονται DRAM, NAND και NOR flash – αποτελεί τη βάση για μονάδες δίσκων στερεάς κατάστασης, διατάξεις, συσκευασίες πολλαπλών ολοκληρωμένων και άλλες λύσεις συστημάτων. Με περισσότερα από 35 χρόνια ηγεσίας στην τεχνολογία, οι λύσεις μνήμης της Micron επιτρέπουν τις πιο προηγμένες εφαρμογές στον κόσμο στους τομείς των υπολογιστών, καταναλωτικών συσκευών, επιχειρησιακών συστημάτων αποθήκευσης, δικτύωσης, φορητών συσκευών, εφαρμογών στην αυτοκινητοβιομηχανία και τα embedded συστήματα.Οι μετοχές της Microsoft διαπραγματεύονται στον NASDAQ με το σύμβολο MU. Για περισσότερες πληροφορίες επισκευθείτε: www.micron.com
Σχετικά με την Intel
Η Intel (NASDAQ: INTC) είναι ένας παγκόσμιος ηγέτης στις καινοτομίες του computing. Η εταιρεία σχεδιάζει και παράγει τις απαραίτητες τεχνολογίες που αποτελούν τη βάση των σύγχρονων υπολογιστικών συσκευών παγκοσμίως. Ως ηγέτης στον τομέα της εταιρικής ευθύνης και της βιώσιμης ανάπτυξης, η Intel κατασκευάζει επίσης τους πρώτους εμπορικά διαθέσιμους “conflict-free” μικροεπεξεργαστές στον κόσμο. Πρόσθετες πληροφορίες σχετικά με την Intel είναι διαθέσιμες στο newsroom.intel.com και blogs.intel.com και για τις conflict-free προσπάθειες της Intel στο conflictfree.intel.com.
Το παρόν κείμενο περιλαμβάνει μελλοντικές εκτιμήσεις. Οι μελλοντικές εκτιμήσεις είναι προβλέψεις, αναγωγές και άλλες ενδείξεις για μελλοντικά γεγονότα, οι οποίες βασίζονται σε παρούσες προσδοκίες και υποθέσεις και συνεπώς ενέχουν κινδύνους και αβεβαιότητα. Πολλοί παράγοντες θα μπορούσαν να προκαλέσουν σημαντική διαφορά των πραγματικών αποτελεσμάτων από τις μελλοντικές εκτιμήσεις και προδοκίες του παρόντος κειμένου. Μια λεπτομερής συζήτηση των παραγόντων που θα μπορούσαν να επηρεάσουν τα αποτελέσματα της Intel περιλαμβάνεται στις ανακοινώσεις SEC της Intel, συμπεριλαμβανομένης της ετήσιας έκθεσης της εταιρείας σύμφωνα με τη Φόρμα 10-Κ.
Το όνομα και το λογότυπο Intel, Intel Core είναι εμπορικά σήματα της Intel Corporation στις Η.Π.Α. και σε άλλες χώρες.
*Άλλα ονόματα και σήματα ενδέχεται να αποτελούν ιδιοκτησία τρίτων.
(C)Intel Corporation. Με την επιφύλαξη κάθε νόμιμου δικαιώματος.
1:Διαφορά χωρητικότητας με βάση σύγκριση μεταξύ του die 384Gb TLC των Intel και Micron και άλλων κατασκευαστών 3D NAND TLC
