Η SK Hynix, μια εταιρία από τη Νότιο Κορέα, ανακοίνωσε επίσημα την δημιουργία μνήμης DDR4 χωρητικότητας 128GB. Οι νέες μνήμες διαθέτουν τη τεχνολογία Through Silicon Via (TSV) η οποία βελτιώνει την απόδοση και τη ταχύτητα καθώς δίνει την δυνατότητα να συνδέονται με υψηλότερη ηλεκτρική απόδοση.
Έτσι, σύμφωνα πάντα με την κατασκευάστρια εταιρία, μπορούν να φτάσουν ταχύτητες έως και 2.133 megabits το δευτερόλεπτο, σε σύγκριση με τις DDR3 που φτάνουν τα 1.333 megabits. Τέλος, βελτιωμένες παρουσιάζονται και στην εξοικονόμηση ενέργειας καθώς δουλεύουν στα 1.2V και όχι στα 1.35V όπως δούλευαν οι παλιότερες μνήμες. Η Η SK Hynix θα αρχίσει την μαζική κατανάλωση των DDR4 128GB μέσα στο 2015.
