Η Qualcomm τον Μάρτιο είχε ανακοινώσει την άφιξη του Snapdragon 820 και σήμερα έδωσε στη δημοσιότητα περισσότερες πληροφορίες για τα χαρακτηριστικά του. Αυτά που ήδη γνωρίζαμε για τη νέα ναυαρχίδα της Qualcomm είναι ότι θα χρησιμοποιεί τον πρώτο επεξεργαστή που έχει σχεδιάσει η ίδια η εταιρία -τον Kryo- στα 64-bit φυσικά, και τη τεχνολογία Qualcomm Zeroth η οποία μαθαίνει που βρίσκεται ο χρήστης και ανάλογα τις ανάγκες του μπορεί να είναι σε θέση να ξέρει τι θέλει να κάνει μετά και να αυτορρυθμίζεται για καλύτερη απόδοση.
Επιπρόσθετα, το Snapdragon 820 θα υποστηρίζει το Qualcomm Snapdragon Sense ID 3D Fingerprint, ή απλά Sense ID. Σαν το Touch ID της Apple, έτσι και αυτό επιτρέπει την ενσωμάτωση αισθητήρων δαχτυλικών αποτυπωμάτων στις συσκευές. Όταν το ανακοίνωσε αυτό το χαρακτηριστικό η εταιρία είχε νόημα, αλλά τώρα ανακοινώθηκε πως το Android M θα υποστηρίζει εξ αρχής αισθητήρες αποτυπωμάτων και ουσιαστικά δεν χρειάζεται το Sense ID αν δεν προσφέρει κάτι παραπάνω.
Η Qualcomm τώρα μας ενημερώνει πως το 820 χρησιμοποιεί τη κάρτα γραφικών Adreno 530 η οποία αποτελεί μια σημαντική αναβάθμιση σε σχέση με την Adreno 430 του 810. Όχι μόνο έχει σχεδόν τις διπλάσιες επιδόσεις (40% πάνω) αλλά καταναλώνει και 40% λιγότερη ενέργεια. Αυτό σημαίνει ότι θα υποστηρίζει δύο φορές καλύτερα παιχνίδια και η διάρκεια ζωής της μπαταρίας θα αυξηθεί για περισσότερο παιχνίδι.
Η Adreno 530 GPU θα υποστηρίζει την OpenGL ES 3.2 και παλιότερες εκδόσεις (OpenGL ES 3.1 και 2.0), Renderscript, Vulcan API, Android Extension Pack, έξοδο σε 4K monitors στα 60fps (μέσω HDMI 2.0 καλωδίου) και ασύρματο streaming 4K περιεχομένου στα 30fps.
Τέλος, ανακοινώθηκε ο νέος επεξεργαστής εικόνας Spectra (Image Signal Processor, ISP) για καλύτερες λήψεις. Θα υποστηρίζει υβριδική αυτόματη εστίαση, έως και τρεις φακούς, φωτογραφίες έως 25-megapixels, βίντεο σε μέγιστη ανάλυση στα 30fps και γενικά θα προσφέρει καλύτερη ποιότητα σε συνθήκες χαμηλού φωτισμού, πιο φυσικά χρώματα στο δέρμα και άλλες βελτιώσεις στις λήψεις που κάμερες χωρίς το Spectra ISP δεν έχουν.
Το νέο chipset θα κατασκευαστεί στα 16nm χρησιμοποιώντας τη τεχνική FinFET της TSMC και θα ενσωματωθεί σε εμπορικές συσκευές μέσα στο 2016.
