Η Samsung ξεκίνησε τη παραγωγή μιας μνήμης RAM που αποκαλεί «most advanced DDR3 memory.» Η μνήμη κατασκευάζεται στα 20nm, μια τεχνολογία που οι Κορεάτες χρησιμοποιούν εδώ και δύο χρόνια.
Η νέα μνήμη είναι τύπου DDR3 και προσφέρει 4GB. Η εταιρία χρησιμοποιεί τη νέα τεχνολογία διπλής διαμόρφωσης με κάτι που ονομάζεται ArF βύθιση λιθογραφίας. Ενώ αυτή η τεχνολογία ακούγεται αρκετά επιστημονική, η Samsung πιστεύει πως θα βοηθήσει στο μέλλον τις DRAM στα 10nm.
Η 20nm DDR3 RAM καταναλώνει 25% λιγότερη ενέργεια από τις 25nm DDR3 και παράλληλα αυξάνει την παραγωγικότητα κατά 30%. Αναμένουμε να δούμε τα νέα 4GB DDR3 chips στα ράφια των καταστημάτων μέσα στους επόμενους μήνες.
