Η Samsung ανακοίνωσε ότι έβαλε σε μαζική παραγωγή τις 128GB DDR4 RAM μνήμες της. Όπως καταλαβαίνετε, οι μνήμες αυτές προορίζονται για επαγγελματική χρήση (για παράδειγμα σε servers και κέντρα δεδομένων), και όχι για προσωπικούς υπολογιστές. Είναι οι πρώτες “through silicon via” (TSV) DDR4 128GB μνήμες της αγοράς και αποτελούνται από 144 DDR4 chips, που το καθένα περιέχει τέσσερα 20-nanometer (nm) 8-gigabit (Gb) chips συναρμολογημένα με τη τεχνολογία TSV που ως αποτέλεσμα έχει λιγότερη κατανάλωση ενέργειας με ταχύτητες που αγγίζουν τα 2,400Mbps, σχεδόν οι διπλάσιες σε σχέση με τις 64GB LRDIMM μνήμες (για servers).
Η Samsung εξηγεί:
Conventional chip packages interconnect die stacks using wire bonding, whereas in TSV packages, the chip dies are ground down to a few dozen micrometers, pierced with hundreds of fine holes and vertically connected by electrodes passing through the holes, allowing for a significant boost in signal transmission. In addition to capitalizing on the industry’s highest capacity and TSV’s advanced circuitry, Samsung’s 128GB TSV DDR4 module has a special design through which the master chip of each 4GB package embeds the data buffer function to optimize module performance and power consumption.
